[发明专利]半导体存储器件

摘要

一种半导体存储器件，由多个读出放大器组成。读出放大器以两个放大器列的形式排列。两个放大器列设置在两个单元片的单元列之间。地址电路、ATD电路和延迟电路设置在输入引脚行和两个单元列之间。ATD脉冲合成器设置在两个放大器列之间，与ATD电路和延迟电路相隔一个预定的信号传输路径。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：一个输入引脚行，包括多个输入引脚；一个输出引脚行，包括多个输出引脚；一个存储单元阵列，位于输入引脚行和输出引脚行之间，包括以多个单元列形式排列的多个单元片；多个读出放大器，以两个放大器列的形式排列，位于多个单元列中的相邻两个单元列之间；一个地址电路；一个地址晶体管检测器(ATD)电路，根据检测出的地址电路中的变化而提供ATD脉冲；一个ATD脉冲合成器，响应ATD脉冲而提供一个合成的脉冲；一个输出电路；以及 一个延迟电路，响应ATD脉冲合成器的合成脉冲而提供一个读出放大数据锁存信号和一个输出数据锁存信号，至少地址电路、地址晶体管检测器(ATD)电路和延迟电路设置在输入引脚行和多个单元列之间，ATD脉冲合成器位于两个放大器列之间，与ATD电路和延迟电路相隔一个预定的信号传输路径。