[发明专利]光刻设备和器件制造方法有效

专利信息
申请号: 03147173.0 申请日: 2003-07-07
公开(公告)号: CN1472602A 公开(公告)日: 2004-02-04
发明(设计)人: A·J·布莱克;V·Y·班尼内 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 蔡民军;郑建晖
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 用于光刻投射设备的程控形成图案装置包括多个反射元件A、B、C,每个反射元件包括两个分布式布拉格反射器51、52,该反射器在辐射的投射光束的方向上相互对齐。两个分布式布拉格反射器之间的间距D1在第一位置和第二位置之间可以调整,在第一位置上,来自第一和第二分布式布拉格反射器51、52的反射之间的相消干涉造成反射率大致为零,在第二位置上,来自第一和第二分布式布拉格反射器51、52的反射之间的相长干涉造成高的反射率。
搜索关键词: 光刻 设备 器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种光刻投射设备,其包括:用于供应辐射投射光束的辐射系统;用于按照所需图案使得投射光束形成图案的程控形成图案装置;用于保持基底的基底台;以及用于在基底的靶部上投射形成图案的光束的投射系统。其特征在于,该程控形成图案装置包括多个反射元件,每个元件包括第一和第二分布式布拉格反射器,该反射器在辐射的入射投射光束的方向上大致相互对齐,并包括用于在所述方向上调整其间隙的装置;其中,在第一位置上,第一和第二分布式布拉格反射器的间隙在来自第一和第二分布式布拉格反射器的反射之间产生相消干涉,并且反射元件的反射率相对低;在第二位置上,第一和第二分布式布拉格反射器的间隙在来自第一和第二分布式布拉格反射器的反射之间产生相长干涉,并且反射元件的反射率相对高。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03147173.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top