[发明专利]光刻设备和器件制造方法有效
申请号: | 03147173.0 | 申请日: | 2003-07-07 |
公开(公告)号: | CN1472602A | 公开(公告)日: | 2004-02-04 |
发明(设计)人: | A·J·布莱克;V·Y·班尼内 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 蔡民军;郑建晖 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 用于光刻投射设备的程控形成图案装置包括多个反射元件A、B、C,每个反射元件包括两个分布式布拉格反射器51、52,该反射器在辐射的投射光束的方向上相互对齐。两个分布式布拉格反射器之间的间距D1在第一位置和第二位置之间可以调整,在第一位置上,来自第一和第二分布式布拉格反射器51、52的反射之间的相消干涉造成反射率大致为零,在第二位置上,来自第一和第二分布式布拉格反射器51、52的反射之间的相长干涉造成高的反射率。 | ||
搜索关键词: | 光刻 设备 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光刻投射设备,其包括:用于供应辐射投射光束的辐射系统;用于按照所需图案使得投射光束形成图案的程控形成图案装置;用于保持基底的基底台;以及用于在基底的靶部上投射形成图案的光束的投射系统。其特征在于,该程控形成图案装置包括多个反射元件,每个元件包括第一和第二分布式布拉格反射器,该反射器在辐射的入射投射光束的方向上大致相互对齐,并包括用于在所述方向上调整其间隙的装置;其中,在第一位置上,第一和第二分布式布拉格反射器的间隙在来自第一和第二分布式布拉格反射器的反射之间产生相消干涉,并且反射元件的反射率相对低;在第二位置上,第一和第二分布式布拉格反射器的间隙在来自第一和第二分布式布拉格反射器的反射之间产生相长干涉,并且反射元件的反射率相对高。
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