[发明专利]光刻设备和器件制造方法无效
申请号: | 03147209.5 | 申请日: | 2003-06-04 |
公开(公告)号: | CN1470944A | 公开(公告)日: | 2004-01-28 |
发明(设计)人: | R·库尔特 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/027;H01L21/68 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 肖春京 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 光刻投射装置的多光学层光学元件,其中至少一个光学层包含Mo和Cr合金。该层可以形成Mo/Si层系统的最外层,可选择地带有Ru外保护层。此外,多光学层光学元件可以包含多个置于Mo/Cr合金层之间的层。 | ||
搜索关键词: | 光刻 设备 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光刻投射装置,包括:用于提供辐射投射光束的辐射系统;用于支撑构图装置的支撑结构,所述构图装置用于根据所需的图案对投射光束进行构图;用于保持基底的基底台;用于将带图案的光束投射到基底的目标部分上的投射系统;其特征在于:投射光束入射到其上的至少一个光学元件具有至少一个包括Mo和Cr合金的光学层。
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