[发明专利]半导体存储器件及其使用镶嵌栅极和外延生长的制造方法

摘要

一种半导体存储器件及其制造方法，包括在硅衬底上形成牺牲栅极的工艺，牺牲栅极相互分开设置。方法还包括在牺牲栅极之间的硅衬底的露出部分上形成第一导电层，形成第一层间绝缘层露出第一导电层和牺牲栅极，除去露出的牺牲栅极以形成开口，以及在开口中顺序形成镶嵌栅极。方法还包括在栅极顶部上形成帽盖层，在露出的第一导电层上形成第二导电层，在硅衬底上形成第二层间绝缘层，以及蚀刻第二层间绝缘层形成露出第二导电层的位线接触。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：形成在硅衬底上的多个栅极，每个栅极具有帽盖层；形成在每个栅极底部和侧壁上的绝缘层；第一导电层，形成在栅极之间的硅衬底上并通过绝缘层与栅极隔开；第一层间绝缘层，形成在硅衬底上，并构成为露出第一导电层和栅极；第二导电层，形成在第一导电层上；以及第二层间绝缘层，形成在硅衬底上，并包含被构成以露出第二导电层的位线接触。