[发明专利]垂直磁记录介质无效
| 申请号： | 03147267.2 | 申请日： | 2003-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1472729A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 李丙圭;吴薰翔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 范明娥;巫肖南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种垂直磁记录介质，其中，将垂直磁记录层设置在基质上，而将软磁层设置在基质和垂直磁记录层之间。在垂直磁记录介质中，将软磁定向层设置在软磁层和基质之间，以在磁性上对软磁层定向。因此，虽然软磁层很薄，它仍具有稳定的磁特性，并产生较小的噪音。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁记录介质，其中，垂直磁记录层设置在基质上，而软磁层设置在基质和垂直磁记录层之间，垂直磁记录介质包括：将软磁定向层放在软磁层和基质之间，以对软磁层在磁性上和晶体学上进行定向。
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