[发明专利]电容式半导体压力传感器有效
| 申请号： | 03147270.2 | 申请日： | 2003-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1571182A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 杨健生 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00;H01L27/00;B81B7/00;G01L9/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电容式半导体压力传感器(capacitivesemiconductor pressure sensor)。该压力传感器主要包含有一由金属固定电极与一可动的多晶硅隔膜(diaphragm)所构成的平板电容(plate capacitor)，设置于一非单晶硅基底上；以及一薄膜晶体管(TFT)控制电路，电连接于该平板电容，用来控制该压力传感器的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 半导体 压力传感器 | ||
【主权项】：
1.一种电容式半导体压力传感器(capacitive semiconductor pressuresensor)，其包含有：一非单晶硅基底；一可导电可动的多晶硅隔膜(conductive movable polysilicondiaphragm)；一多晶硅支承构件(supporter)，设于该非单晶硅基底上，用来固定该多晶硅隔膜的两端，使得该多晶硅隔膜与该非单晶硅基底之间形成一密闭凹穴(sealed cavity)；一固定电极(stationary electrolde)，设于该多晶硅隔膜下方的该非单晶硅基底上，该固定电极与该多晶硅隔膜构成一平板电容(plate capacitor)；以及一薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)控制电路，设于该非单晶硅基底上，并电连接于该平板电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司，未经友达光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03147270.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种发光二极管结构及其制造方法
- 下一篇：一种IP电话与电话网的无缝通讯方法
