[发明专利]半导体压力传感器有效
| 申请号： | 03147271.0 | 申请日： | 2003-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1571183A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 杨健生 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00;H01L41/00;H01L27/00;B81B7/00;G01L9/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体压力传感器(semiconductor pressuresensor)。该半导体压力传感器包含有一非单晶硅基底；一可动的隔膜(diaphragm)；至少一压电电阻(piezoresistor)，设于该隔膜上；一支承构件(supporter)，设于该非单晶硅基底上，用来固定该隔膜的两端，使得该隔膜与该非单晶硅基底之间形成一凹穴(cavity)；以及一薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)控制电路，电连接于该隔膜与该压电电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 压力传感器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体压力传感器(semiconductor pressure sensor)，其包含有：一非单晶硅基底；一可动的绝缘隔膜(diaphragm)；至少一压电电阻(piezoresistor)，设于该绝缘隔膜上；一绝缘支承构件(supporter)，设于该非单晶硅基底上，用来固定该绝缘隔膜的两端，使得该绝缘隔膜与该非单晶硅基底之间形成一凹穴(cavity)，以及一薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)控制电路，设于该非单晶硅基底上，并电连接于该绝缘隔膜与该压电电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司，未经友达光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03147271.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
