[发明专利]清除聚合物的方法以及用于清除聚合物的装置无效
| 申请号： | 03147432.2 | 申请日： | 2003-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1471130A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 苑田博幸;川口英彦;田中盛光;大野宏树 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/321 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于清除形成于一个基片(W)上的被蚀刻金属层(73)的侧壁上所附着的聚合物(76)的方法，其包括(a)通过向基片(W)的表面上通入化学药剂来溶解聚合物(76)，和(b)通过向基片(W)的表面上通入纯水来冲洗掉基片(W)表面上的化学药剂，其特征在于步骤(a)中的至少一部分是在氧化气氛中进行的。 | ||
| 搜索关键词： | 清除 聚合物 方法 以及 用于 装置 | ||
【主权项】：
1、一种用于清除形成于基片上的一种被蚀刻金属层的侧壁上所附着的聚合物的方法，其包括：(a)通过向所述基片表面上输送化学药剂来溶解所述聚合物；和(b)通过向所述基片表面上通入纯水而冲洗掉所述基片表面上的所述化学药剂。其特征在于所述步骤(a)中的至少一部分要在氧化气氛中进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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