[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的课题是提供在避免不需要的硅化物膜的形成的同时可减少结漏泄电流的半导体器件。半导体器件包含被配置在半导体衬底的表面内的对元件区进行隔离的元件隔离绝缘膜。在元件区的半导体衬底上经栅绝缘膜配置栅电极。在半导体衬底的表面内，以夹住栅绝缘膜之下的区域的方式形成一对源/漏区。在源/漏区的表面上配置硅化物膜，该硅化物膜延伸到元件隔离绝缘膜上。在元件隔离绝缘膜上和硅化物膜上配置层间绝缘膜。接触孔贯通层间绝缘膜并到达硅化物膜，其一端和另一端分别位于硅化物膜上和元件隔离绝缘膜上。此外，接触孔具有在底部并在元件隔离绝缘膜的上部其一端与硅化物膜的端部相接的槽部。在接触孔的内部配置布线层。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：半导体衬底；元件隔离绝缘膜，被配置在上述半导体衬底的表面内，对元件区进行隔离；栅电极，在上述元件区的上述半导体衬底上经栅绝缘膜被配置；一对源/漏区，以夹住上述栅电极下的区域的方式在上述半导体衬底的表面内被形成；硅化物膜，被配置在上述源/漏区的表面上并延伸到上述元件隔离绝缘膜上，且具有与上述半导体衬底的表面相比位于上方的上表面；层间绝缘膜，被配置在上述元件隔离绝缘膜上和上述硅化物膜上；接触孔，贯通上述层间绝缘膜并到达上述硅化物膜，且其一端和另一端分别位于上述硅化物膜上和上述元件隔离绝缘膜上，且具有在底部并在上述元件隔离绝缘膜的上部其一端与上述硅化物膜的端部相接的槽部；以及布线层，被配置在上述接触孔的内部。