[发明专利]半导体光电子器件有效
| 申请号： | 03147571.X | 申请日： | 2003-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1490910A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 李成男;河镜虎;司空坦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体光电子器件。这种半导体光电子器件包括有源层，设置在有源层上方的上部波导层和设置在有源层下方的下部波导层，设置在上部波导层上方的上部包覆层和设置在下部波导层下方的下部包覆层，支撑所述下部包覆层、下部波导层、有源层、上部波导层以及上部包覆层的堆积结构的衬底，以及设置在有源层与上部波导层之间的上部光限制层和设置在有源层与下部波导层之间的下部光限制层，所述上部和下部光限制层的禁带宽度小于上部和下部波导层的禁带宽度，但是大于有源层的禁带宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光电子 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光电子器件，包括：有源层；设置在所述有源层上方的上部波导层，和设置在所述有源层下方的下部波导层；设置在所述上部波导层上方的上部包覆层，和设置在所述下部波导层下方的下部包覆层；支撑所述下部包覆层、下部波导层、有源层、上部波导层以及上部包覆层的堆积结构的衬底；以及设置在所述有源层与上部波导层之间的上部光限制层，和设置在所述有源层与下部波导层之间的下部光限制层，它们的禁带宽度小于所述上部和下部波导层的禁带宽度，但是大于所述有源层的禁带宽度。
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