[发明专利]自对准接触窗形成方法有效
| 申请号： | 03147683.X | 申请日： | 2003-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1571120A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 郑培仁 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/82 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;楼仙英 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种自对准接触窗形成方法，包括：于半导体衬底上设置至少一栅叠置结构；于上述半导体衬底和上述栅叠置结构上，形成第一介电层；于上述第一介电层上形成第二介电层，上述第二介电层相对于上述第一介电层具有蚀刻选择性；蚀刻上述第二介电层，以曝露出形成于上述栅叠置结构的顶表面和至少一部分上述栅叠置结构侧壁上部的上述第一介电层；除去已曝露的上述第一介电层；并在上述栅叠置结构侧壁上形成第三介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 接触 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自对准接触窗形成方法，包括：在半导体衬底上至少一栅叠置结构；在该半导体衬底和该栅叠置结构上，形成第一介电层；在该第一介电层上形成第二介电层，该第二介电层相对于该第一介电层具有蚀刻选择性；蚀刻该第二介电层，以曝露出形成于该栅叠置结构的顶表面和至少一部分该栅叠置结构侧壁上部的该第一介电层；除去已曝露的该第一介电层；以及在该栅叠置结构的侧壁上形成第三介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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