[发明专利]光加热装置有效
| 申请号： | 03147817.4 | 申请日： | 2003-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1476060A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 森本幸裕;鸟饲哲哉;沟尻贵文 | 申请（专利权）人： | 优志旺电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/477;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王维玉;武玉琴 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种以闪光灯为光源的光加热装置，可以防止硅晶片产生裂纹，由以下部分构成，封入了稀有气体的闪光灯(20)；包围该闪光灯(20)的壳体(32)；放置被该闪光灯的放射光照射的硅晶片的载物台；和控制闪光灯的发光的供电装置，其特征在于，上述载物台表面上的上述闪光灯进行一次发光时，波长范围220nm～370nm的积分放射强度A和波长范围370nm～800nm的积分放射强度B的比率B/A为1.0以上。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 装置 | ||
【主权项】：
1.一种光加热装置，由以下部分构成，封入了稀有气体的闪光灯；包围该闪光灯的壳体；放置被来自该闪光灯的放射光照射的硅晶片的载物台；和控制闪光灯的发光的供电装置，其特征在于，上述载物台的晶片放置面的上述闪光灯进行一次发光时，波长范围220nm～370nm的积分放射强度A和波长范围370nm～800nm的积分放射强度B的比率B/A为1.0以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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