[发明专利]发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03147892.1 | 申请日： | 2003-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1469691A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 濑尾哲史;山崎宽子 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H05B33/14 | 分类号： | H05B33/14;H05B33/26;G09F9/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻;梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种具有顶部发射结构的发光元件及其制造方法，这种发光元件可以在不考虑电极(特别是与衬底接触的电极)的电离电位的情况下轻松制造。根据本发明的具有顶部发射型的发光器件包括：由通用金属(具体而言为布线材料，如Ti或Al)形成的第一电极(101)，其具有光屏蔽性能或反射性；通过向第一电极(101)上涂敷导电聚合物材料形成的导电聚合物层(102)；形成与导电聚合物层(102)接触的场致发光膜(103)；以及形成在场致发光膜(103)上的透光第二电极(104)，其中导电聚合物层(102)由包括电子交换聚合物等的材料形成，同时不存在涉及功函数的问题(如图1A所示)。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种发光器件，包括：第一电极；导电聚合物层；场致发光膜；和第二电极，其中导电聚合物层包括电子交换聚合物并形成在第一电极和场致发光膜之间；和第二电极包括透明导电膜。
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