[发明专利]降低晶体缺陷密度的方法有效
| 申请号： | 03147893.X | 申请日： | 2003-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1480569A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | M·P·德埃维林;S·D·阿图尔;L·B·罗兰德;S·S·瓦加拉利;J·W·卢塞克;T·R·安托尼;L·M·莱文森 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 钟守期;马崇德 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在高压高温(HP/HT)下消除非金刚石晶体中缺陷或应变的方法，从提供含缺陷晶体和压力介质开始，将晶体和压力介质放置在高压小容器中，再置于高压设备中，在足够高压高温的反应条件下处理到足以消除其单晶体中一种或多种缺陷或解除应变的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 晶体缺陷 密度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种消除选自非金刚石晶体和非晶体材料的材料中的一种或多种缺陷和/或解除其应变的方法，该方法包括：a)将含缺陷和或应变的所述材料放在压力介质中；b)将该材料和压力介质放置在一高压小容器中；c)在高压设备中在足够高压高温反应条件下处理该小容器，达到足以消除材料中更多缺陷或解除材料应变的时间。
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