[发明专利]形成细微图案的方法无效
| 申请号： | 03147903.0 | 申请日： | 2003-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1469432A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 菅田祥树;金子文武;立川俊和 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种形成细微图案的方法，包括以下工序：在具有光刻胶图案的基板上涂敷用于图案细微化的涂膜形成剂的工序；除去附着在基板的端缘部和/或里面部的不需要的涂膜形成剂的工序；利用热处理使所述涂膜形成剂热收缩，利用该热收缩作用缩小光刻胶图案间的间隔的工序；和实质上完全除去所述涂膜形成剂的工序。利用本发明，可以很好地控制图案尺寸，同时可以得到外形良好和具有半导体器件所要求特性的细微图案，还可以防止导致器件污染的颗粒的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 细微 图案 方法 | ||
【主权项】：
1、形成细微图案的方法，包括以下工序：在具有光刻胶图案的基板上涂敷用于图案细微化的涂膜形成剂的工序；除去附着在基板的端缘部和/或里面部的不需要的涂膜形成剂的工序；利用热处理使所述涂膜形成剂热收缩，利用该热收缩作用缩小光刻胶图案间的间隔的工序；和实质上完全除去所述涂膜形成剂的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京应化工业株式会社，未经东京应化工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03147903.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：交错相移掩模的制造方法
- 下一篇：在硅基片上制造Si1－xGex膜的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
