[发明专利]形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体管的方法无效
| 申请号： | 03147935.9 | 申请日： | 2003-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1499574A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 金彬;金海烈;裵钟旭 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;祁建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种形成多晶硅层的方法，包括：在衬底上形成一个非晶硅层；在非晶硅层上沉积一种催化剂金属；沿第一方向设置接触非晶硅层的第一和第二电极；在第一温度下加热非晶硅层，并同时对第一和第二电极施加第一电压而形成初次结晶非晶硅层；沿第二方向设置接触初次结晶非晶硅层的第三和第四电极，第二方向与第一方向不同；并且在第二温度下加热初次结晶非晶硅层并同时对第三和第四电极施加第二电压而形成二次结晶非晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 多晶 以及 制作 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上由非晶硅层形成多晶硅层的方法，包括：在非晶硅层上沉积一种催化剂金属；沿第一方向设置接触非晶硅层的第一和第二电极；在第一温度下加热非晶硅层，并同时对第一和第二电极施加第一电压而形成初次结晶非晶硅层；沿第二方向设置接触初次结晶非晶硅层的第三和第四电极，第二方向与第一方向不同；并且在第二温度下加热初次结晶非晶硅层，并同时对第三和第四电极施加第二电压而形成二次结晶非晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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