[发明专利]结构释放结构及其制造方法有效
| 申请号： | 03148073.X | 申请日： | 2003-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1567080A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 林文坚;蔡熊光 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/21 | 分类号： | G02F1/21;G03F7/00;G09F9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种结构释放结构及其制造方法，适用于光干涉式显示单元结构之上。该光干涉式显示单元结构包括第一电极、第二电极及支撑物，其中，第二电极具有至少一孔洞，并与该第一电极约成平行排列，且支撑物位于第一电极与第二电极之间并且形成一腔室。在光干涉式显示单元制造过程中，当通过结构释放蚀刻制造过程来移除第一电极和第二电极之间的牺牲层用以形成腔室时，孔洞可使蚀刻剂经由孔洞蚀刻牺牲层用以缩短结构释放蚀刻制造过程所需的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 释放 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种结构释放结构，适用于光干涉式显示单元结构之上，该结构至少包括：第一电极；第二电极，具有至少一孔洞，并与该第一电极约成平行排列；以及支撑物，位于该第一电极与该第二电极之间形成一腔室；其中，当通过结构释放蚀刻制造工艺来移除位于该第一电极与该第二电极间的牺牲层用以形成该腔室时，蚀刻剂可经由该孔洞蚀刻该牺牲层用以缩短该结构释放蚀刻制造工艺所需的时间。
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