[发明专利]硅纳米线阵列太阳能转换装置有效
| 申请号： | 03148176.0 | 申请日： | 2003-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1476105A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 朱静;彭奎庆 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种属于太阳能转换技术领域的硅纳米线阵列太阳能转换装置。其特征在于：在所述Ti/Pd/Ag栅形电极和P型硅层之间含有纳米硅线阵列层。所述太阳能转换装置含有的依次相叠的各层为：Ti/Pd/Ag栅形电极，位于纳米硅线阵列层之上，作为正面引出电极；纳米硅线阵列层，位于P型硅层之上，作为太阳能电池的发射极和减反射层；P型硅基底层，位于铝金属膜背电极之上，作为太阳能电池的基区；Ti/Pd/Ag金属膜背电极层，作为背面引出电极。本发明提供的这种具有新型结构的太阳能转换装置，光吸收能力强，光电转换效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 太阳能 转换 装置 | ||
【主权项】：
1、硅纳米线阵列太阳能转换装置，它含有Ti/Pd/Ag栅形电极、P型硅基底层和Ti/Pd/Ag金属膜背电极层，其特征在于：在所述Ti/Pd/Ag栅形电极和P型硅层之间还含有纳米硅线阵列层，所述太阳能转换装置含有的依次相叠的各层为：(1)Ti/Pd/Ag栅形电极，位于纳米硅线阵列层之上，作为正面引出电极；(2)纳米硅线阵列层，位于P型硅层之上，作为太阳能电池的发射极和减反射层；(3)P型硅基底层，位于铝金属膜背电极之上，作为太阳能电池的基区；(4)Ti/Pd/Ag金属膜背电极层，作为背面引出电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
