[发明专利]电子束曝光的邻近效应修正方法及其应用无效
申请号: | 03148322.4 | 申请日: | 2003-06-27 |
公开(公告)号: | CN1470947A | 公开(公告)日: | 2004-01-28 |
发明(设计)人: | 马越俊幸;佐藤信二 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供电子束曝光的高精度的邻近效应修正方法。对基底层图形32进行分类,在单位区域中,分别计算要复制到基底层图形32的上层上的描画层图形与基底层图形32重叠的重叠描画层图形33和不重叠的图形31的图形面积密度,进行电子束曝光的邻近效应修正。 | ||
搜索关键词: | 电子束 曝光 邻近 效应 修正 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一种邻近效应修正方法,其特征在于:包括对基底层图形进行分类的步骤,根据上述所分类的基底层图形,把要复制到在上述基底层图形的上部形成的薄膜层上的描画图形,分割成与上述基底层图形重叠的图形和不重叠的图形的步骤,在单位区域中对于上述分割后的描画层图形分别计算图形面积密度的步骤,以上述图形面积密度为基础,计算对上述描画层图形的修正照射量的步骤。
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