[发明专利]微型机电系统可变光衰减器无效
| 申请号： | 03148429.8 | 申请日： | 2003-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1512255A | 公开（公告）日： | 2004-07-14 |
| 发明（设计）人： | 洪允植;李玲揆;郑成天;尹湘基;李贤基;洪硕基;姜埈锡;李浈铉 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/19 | 分类号： | G02F1/19;G02B6/26;H04B10/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种MEMS可变光衰减器，包括具有平面的衬底，安置在衬底的平面上的微电子激励器，一对分别具有接收和发射端的光波导，并且彼此同轴安置成一行并安置在平面上，光闸，可移向光波导的发射端和接收端间的预定位置，并由微电子激励器驱动来移动，以及形成在光闸上的表面层，具有低于80％的反射率以便部分透射其中的入射光束，并具有消光属性，从而根除其中的该部分透射光。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 机电 系统 可变 衰减器 | ||
【主权项】：
1.一种微型机电系统(MEMS)可变光衰减器，包括：具有平面的衬底；安置在衬底的平面上的微电子激励器；一对光波导，分别具有接收端和发射端，并同轴安置在平面上；光闸，可移向光波导的接收端和发射端间的指定位置，并由微电子激励器驱动来移动；以及表面层，形成在光闸上，具有低于80％的反射率以便将入射光束部分透射到该表面层中，并具有适合其厚度的消光比，从而根除其中的部分透射光束。
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