[发明专利]具有电流限制层的半导体激光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 03148449.2 | 申请日： | 2003-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1469518A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 郭准燮;河镜虎;成演准 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有电流限制层的半导体激光二极管及其制造方法。该半导体激光二极管包括：衬底；第一材料层，沉积于该衬底上；有源层，沉积于该第一材料层上，并且发射激光光束；以及，第二材料层，沉积于该有源层上，并且包括由该有源层凸出的脊形部分，以及通过向该脊形部分的周边部分注入离子形成的、从而限制注入该有源层的电流的电流限制层。因此，可以制造具有低共振临界电流值的改进的半导体激光二极管，其可以移除光分布中的损失并在保持脊形部分宽度的同时减小注入该有源层中的电流的分布宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流 限制 半导体 激光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光二极管，包括：衬底；第一材料层，沉积于该衬底上；有源层，沉积于该第一材料层上，并且发射激光光束；以及第二材料层，沉积于该有源层上，并且包括相对该有源层垂直地凸出的脊形部分，以及通过向该脊形部分的周边部分注入离子形成的、从而限制注入该有源层的电流的电流限制层。
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