[发明专利]制造半导体装置的方法无效
| 申请号： | 03148452.2 | 申请日： | 2003-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1469457A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 金奎显;尹孝根;崔根敏 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明揭露一种制造半导体装置的方法，其中一圆柱形电容器藉由选择性蚀刻在一单元(cell)区域中的氧化物薄膜而形成，以防止在单元区域中的氧化物薄膜的湿蚀刻处理期间于单元之间形成桥接。藉由以光致抗蚀剂薄膜覆盖该周边电路区域且选择性蚀刻单元区域中的氧化物薄膜而构成一圆柱形电容器，因此形成在单元区域中的层间绝缘薄膜与形成在周边电路区域中的层间绝缘薄膜之间的阶差(step difference)便可减小，藉此可简化制造程序。此外，藉由利用一单一湿蚀刻工站来进行一简单的湿蚀刻处理，便可防止在单元之间的桥接，而不需要进行一独立分开的干蚀刻处理来清除氧化物薄膜及光致抗蚀剂薄膜图案，藉此便可提升装置的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下的步骤：(a)在一半导体衬底的整个表面上形成一供作为一存储电极的氧化物薄膜，其中该半导体衬底包括一单元区域及一周边电路区域；(b)蚀刻该位于单元区域中的供作为存储电极的氧化物薄膜以界定一存储电极区域；(c)在存储电极区域中形成一存储电极；(d)在位于该周边电路区域中的供作为存储电极的氧化物薄膜上形成一光致抗蚀剂薄膜图案；(e)利用光致抗蚀剂薄膜图案作为一掩模而藉由一湿蚀刻处理来移除该位于单元区域中供作为存储电极的氧化物薄膜，并且移除该光致抗蚀剂薄膜图案；(f)在所形成结构的整个表面上依次形成一介电薄膜及一板电极；以及(g)在所形成结构的整个表面上形成一层间绝缘薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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