[发明专利]制造具有双重间隔壁半导体器件的方法有效
| 申请号： | 03148470.0 | 申请日： | 2003-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1471144A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 具滋钦;李彰原;许盛俊;宣敏喆;尹宣弼 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/318;H01L21/283;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造具有双重间隔壁的半导体器件的方法。该方法包括下列步骤：通过提供一氮源气体，可在反应室内建立并保持氮气气氛；然后，可向反应室提供一硅源气体和一氧源气体，以在半导体衬底上沉积一氧化硅层，该半导体衬底可包括一导电材料层；然后，通过进行通常的CVD工艺，可在该氧化硅层上形成一氮化硅层；接着，该氮化硅层可被蚀刻至暴露出该氧化硅层。由于氮化硅与氧化硅之间的蚀刻选择性差异，因此部分该氮化硅层可保留在该导电材料层的侧壁上。结果，可在侧壁上形成由一氧化硅层和一氮化硅层形成的双重间隔壁。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 双重 间隔 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有氧化硅层的半导体器件的方法，该方法包括：向一反应室提供一氮源气体，以在反应室内建立氮气气氛；以及向反应室提供一硅源气体和一氧源气体，以在半导体器件的半导体衬底上沉积一氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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