[发明专利]磁性隧道结器件及存储器阵列有效
申请号: | 03148782.3 | 申请日: | 2003-06-26 |
公开(公告)号: | CN1476109A | 公开(公告)日: | 2004-02-18 |
发明(设计)人: | 戴维·W·亚伯拉罕;菲利普·L·特鲁伊劳德 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L43/00 | 分类号: | H01L43/00;H01L45/00;G11C11/15;G11C11/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种磁性隧道结器件及存储器阵列,该阵列包括该磁性隧道结器件。该磁性隧道结器件包括被一阻挡层分隔的一自由层和一钉扎层。根据本发明,自由层包括一亚铁磁层和一反平行层,至少在磁性隧道结器件的预定温度范围内,反平行层的磁矩大致与亚铁磁层的磁矩反平行。 | ||
搜索关键词: | 磁性 隧道 器件 存储器 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种磁性隧道结器件,包括一自由层和一钉扎层,所述自由层和所述钉扎层被一阻挡层分隔,其特征在于,所述自由层包括:一亚铁磁层,其包括一亚铁磁性材料;以及一反平行层,紧邻亚铁磁层,至少在该磁性隧道结器件的一预定温度范围内,反平行层的磁矩大致与亚铁磁层的磁矩反平行。
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