[发明专利]磁性隧道结器件及存储器阵列有效

专利信息
申请号: 03148782.3 申请日: 2003-06-26
公开(公告)号: CN1476109A 公开(公告)日: 2004-02-18
发明(设计)人: 戴维·W·亚伯拉罕;菲利普·L·特鲁伊劳德 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L43/00 分类号: H01L43/00;H01L45/00;G11C11/15;G11C11/18
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种磁性隧道结器件及存储器阵列,该阵列包括该磁性隧道结器件。该磁性隧道结器件包括被一阻挡层分隔的一自由层和一钉扎层。根据本发明,自由层包括一亚铁磁层和一反平行层,至少在磁性隧道结器件的预定温度范围内,反平行层的磁矩大致与亚铁磁层的磁矩反平行。
搜索关键词: 磁性 隧道 器件 存储器 阵列
【主权项】:
1.一种磁性隧道结器件,包括一自由层和一钉扎层,所述自由层和所述钉扎层被一阻挡层分隔,其特征在于,所述自由层包括:一亚铁磁层,其包括一亚铁磁性材料;以及一反平行层,紧邻亚铁磁层,至少在该磁性隧道结器件的一预定温度范围内,反平行层的磁矩大致与亚铁磁层的磁矩反平行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司,未经国际商业机器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03148782.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top