[发明专利]对漏磁通敏感性较小的磁传感单元有效

专利信息
申请号: 03148903.6 申请日: 2003-06-24
公开(公告)号: CN1469105A 公开(公告)日: 2004-01-21
发明(设计)人: 德永政男;武田宪司;神谷知充 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: G01D5/12 分类号: G01D5/12;G01B7/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 刘兴鹏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种磁传感单元(11)包含致动器电机(2)和磁性位置传感器(12)。致动器电机(2)具有包含电机磁体(231,232)的磁路(23)。磁性位置传感器(12)包含传感器磁体(42)和用于探测磁通量的霍耳元件(5)。磁体间隙(201,202)形成在电机磁体(231,232)之间。霍耳元件(5)被安置在电机(2)的外面,用于在穿过磁体间隙(201,202)的方向上探测磁通量,该方向与从一个电机磁体(231,232)指向另一个电机磁体的方向垂直。在霍耳元件(5)的这种布置中,霍耳元件(5)探测到的从电机磁体(231,232)泄漏的磁通受到了限制。
搜索关键词: 漏磁通 敏感性 较小 传感 单元
【主权项】:
1.一种磁传感单元(11),包括:致动器电机(2),其具有磁路(23);和磁性位置传感器(12),其用于通过磁性方式探测致动器电机(2)的转动位置,磁性位置传感器(12)包含:磁通探测装置(5);及磁通产生装置(4),其根据致动器电机(2)的转动位置向磁通探测装置(5)产生预定大小的磁通量;磁传感单元(11)的特征在于:磁通探测装置(5)被安置在磁路(2)之外的位置和方向上,在此,磁通探测装置(5)对磁路(23)的漏磁通(ΦM)的敏感性最小。
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