[发明专利]波长选择性光电检测器无效
| 申请号： | 03148920.6 | 申请日： | 2003-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1512597A | 公开（公告）日： | 2004-07-14 |
| 发明（设计）人： | 金俊永;崔秉龙;李银京 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00;H01L27/14;G01J1/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;马莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种波长选择性光电检测器。该光电检测器，包括：透明上电极，包括电容器；第一半导体层，位于上电极之下；光吸收层，位于第一半导体层之下，用于吸收光以产生电子空穴对；放大层，位于光吸收层之下，用于产生二次电子；第二半导体层，位于放大层之下；以及下电极，位于第二半导体层之下，并且包括与外部电阻并联的电感。该光电检测器可以改善S/N比，并且仅滤过具有特定波长频带的光。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 选择性 光电 检测器 | ||
【主权项】：
1.一种光电检测器，包括：透明上电极，包括电容器；第一半导体层，位于上电极之下；光吸收层，位于第一半导体层之下，用于吸收光以产生电子空穴对；放大层，位于光吸收层之下，用于产生二次电子；第二半导体层，位于放大层之下；以及下电极，位于第二半导体层之下，并且包括与外部电阻并联的电感。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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