[发明专利]层间绝缘膜及其形成方法以及聚合物组合物无效
申请号: | 03148937.0 | 申请日: | 2003-07-01 |
公开(公告)号: | CN1476087A | 公开(公告)日: | 2004-02-18 |
发明(设计)人: | 青井信雄 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L23/532 | 分类号: | H01L23/532;H01L21/312 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种介电常数和吸湿性低、机械强度优异的层间绝缘膜。本发明的层间绝缘膜是由具有取代乙炔基且可在三维方向上聚合的第1单体,例如具有取代乙炔基的金刚烷衍生物,与具有取代环戊烯酮基且可在二维方向上聚合的第2单体,例如具有取代环戊烯酮基的芳香族衍生物三维聚合得到的聚合物构成的。 | ||
搜索关键词: | 绝缘 及其 形成 方法 以及 聚合物 组合 | ||
【主权项】:
1.一种层间绝缘膜,其特征在于,由具有取代乙炔基且可在三维方向上聚合的第1单体与具有取代环戊烯酮基且可在二维方向上聚合的第2单体三维聚合得到的聚合物构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03148937.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件和半导体器件的制造方法
- 下一篇:金属内连线结构