[发明专利]噪声屏蔽型多层衬底及其制造方法无效
| 申请号： | 03149022.0 | 申请日： | 2003-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1472783A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 真野靖颜 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/12;H05K3/46;H05K1/16 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种噪声屏蔽型多层衬底，其优点在于，通过在电路图形、无源元件和有源元件的至少一个当中放置磁性材料，来屏蔽泄漏的磁通和串扰，从而阻挡了来自电路图形、无源元件和有源元件产生的噪声。因此，避免了毗邻的电路图形和各个部分由于泄漏的磁通而产生的误操作。而且还提供了一种制造这种噪声屏蔽型多层衬底的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 噪声 屏蔽 多层 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造噪声屏蔽型多层衬底的方法，包括下面的步骤：制备衬底；在衬底上放置磁性材料；在放置有磁性材料的衬底上形成电路图形、无源和有源元件中的至少一个；以及在电路图形、无源和有源元件中的至少一个上铺设另一层衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
