[发明专利]在硅基片上制造Si_1－xGe_x膜的方法无效

申请号：	03149086.7	申请日：	2003-06-26
公开（公告）号：	CN1469433A	公开（公告）日：	2004-01-21
发明（设计）人：	道格拉斯·詹姆斯·特威特;许胜籘;马哲申;李宗霑	申请（专利权）人：	夏普株式会社
主分类号：	H01L21/20	分类号：	H01L21/20;H01L21/324;H01L21/265;H01L21/822
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司	代理人：	陈瑞丰
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	一种在硅基片上制造Si_1－xGe_x膜的方法包括：制备硅基片；在该硅基片上外延沉积Si_1－xGe_x层，在其间形成Si_1－xGe_x/Si界面；在高于T_c的温度下无定形化Si_1－xGe_x层，以形成无定形化的、分级的SiGe层；在约650℃－约1100℃的温度下将无定形的、分级的SiGe层退火约10秒钟－约60分钟，以重结晶SiGe层。
搜索关键词：	硅基片上制造 si sub ge 方法
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【主权项】：

1.一种在硅基片上制造作为集成电路结构一部分的Si1-xGex膜的方法，其包括：制备硅基片；在该硅基片上外延沉积Si1-xGex层，在其间形成Si1-xGex/Si界面；在高于Tc的温度下无定形化Si1-xGex层，以形成无定形化的、分级的SiGe层；和在约650℃-约1100℃的温度下将无定形的、分级的SiGe层退火约10秒钟-约60分钟，以重结晶无定形的、分级的SiGe层。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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