[发明专利]具有GaN基多量子阱结构的发光二极管无效
| 申请号： | 03149187.1 | 申请日： | 2003-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1567607A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 陈弘;周均铭;李东升;于洪波;贾海强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有GaN基多量子阱结构的发光二极管。该发光二极管的特征在于：量子阱(22)由不掺杂的势垒层(23)和不掺杂的势阱层(24)组成，且势阱层的带隙小于势垒层的带隙；量子阱(22)的数目N为1～100；所述的势阱层(24)为梯形；在n型掺杂的AlGaN层(20)与N个量子阱(22)之间、N个量子阱(22)之间与p型掺杂的AlGaN层(21)之间还分别有GaN隔离层(14－1)、GaN隔离层(14－2)。该发光二极管的多量子阱区可以与p－n结重合，使电子与空穴主要在量子阱中通过带边辐射复合发光，可以提高发光二极管的发光效率；梯形量子阱的结构使电子和空穴在空间上能更好的重合在一起，可以提高电子和空穴辐射复合几率；对生长设备和工艺条件无特殊要求。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 gan 基多 量子 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种具有GaN基多量子阱结构的发光二极管，包括在衬底10上，以常规技术依次生长缓冲层11、n型掺杂的GaN层12、n型掺杂的GaN层13、n型掺杂的AlGaN层20、N个量子阱22、p型掺杂的AlGaN层21、p型掺杂的GaN层15，透明电极16、以及p型欧姆接触17，在n型掺杂的GaN层13上经常规光刻技术制作n型欧姆接触18；其特征在于：所述的量子阱22由不掺杂的势垒层23和在其上不掺杂的势阱层24组成，且势阱层的带隙小于势垒层的带隙；量子阱22的数目N为1～100；所述的势阱层24为梯形；还包括在n型掺杂的AlGaN层20与N个量子阱22之间、N个量子阱22之间与p型掺杂的AlGaN层21之间还分别有GaN隔离层14-1、GaN隔离层14-2。
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