[发明专利]一种金刚石膜平面场发射阴极及其制作方法无效
| 申请号： | 03149189.8 | 申请日： | 2003-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1567506A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 顾长志;岳双林;窦艳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属一种用于平板显示领域应用的金刚石膜平面场发射阴极及制作方法。该阴极包括：一衬底，在衬底的一面上蒸镀金属测量电极，测量引线连接在其上；在衬底的另一面上有一层金刚石膜层；一金属硅化物过渡层位于衬底与金刚石膜层之间。其制作方法包括：先在衬底一个面上制作金属硅化物过渡层；然后在金属硅化物上采用各种传统方法生长金刚石薄膜，由于金属硅化物上很难直接生长金刚石膜，通常要在偏压下成核，再生长金刚石膜；在衬底的另一面上采用溅射或蒸镀的方法沉积300－1000nm厚的Au电极。本发明的金刚石膜平面场发射阴极，由于在衬底与金刚石膜之间设置一金属硅化物过渡层，提供了电子共振遂穿的两个界面势垒，实现高密度的电子注入。该制作方法易于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 平面 发射 阴极 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种金刚石膜平面场发射阴极包括：一衬底2，在衬底2的一面上蒸镀金属测量电极3，测量引线连接在其上；在衬底2的另一面上有一层金刚石膜层1；其特征在于：还包括：一具有金属硅化物过渡层4，该金属硅化物过渡层位于衬底2与金刚石膜层1之间。
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