[发明专利]磁随机存取存储器无效
| 申请号： | 03149408.0 | 申请日： | 2003-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1469387A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 岩田佳久;浅尾吉昭;中島健太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 吴丽丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁随机存取存储器，能够通过对具有理想的星状曲线的TMR元件，同时使困难轴方向的磁场H1和容易轴方向的磁场H2作用，使TMR元件的存储层的磁化方向反转。在实际的星状曲线向困难轴方向仅偏差Ho的情况下，通过在写入动作时，使所修正的合成磁场H1+H2+Ho产生，来可靠地进行磁场反转。通过基于所编程的设定数据，对写入字/位线电流个别进行控制，就能够容易地生成所修正的合成磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁随机存取存储器的写入方法，包括以下步骤：测试具有困难轴和容易轴的磁阻效应元件的写入特性；基于上述写入特性，分别独立地决定，使对上述磁阻效应元件的磁化反转所需要的上述困难轴方向的磁场产生的第一写入电流的值，和使上述容易轴方向的磁场产生的第二写入电流的值；将上述第一及第二写入电流的值作为设定数据进行编程；以及通过基于上述设定数据，生成上述第一及第二写入电流，对上述磁阻效应元件执行数据的写入。
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