[发明专利]半导体存储器件

摘要

一种半导体存储器件，包括沿第一方向提供的字线，沿与第一方向交叉的第二方向提供的位线和在字线和位线的交叉点提供的存储单元，每个存储单元包括一个MISFET，其中每个存储单元以阈值电压差的形式存储数据，沿第二方向提供参考位线，在字线和参考位线的交叉点提供参考单元，由与要从中读出数据的存储单元相同的字线激活2N(其中N为自然数)个参考单元，以产生参考电流，数据读出电路根据参考电流和流过要从中读出数据的存储单元的单元电流从存储单元中读出数据。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：沿第一方向提供的彼此平行的多个字线；沿与第一方向交叉的第二方向提供的彼此平行的多个位线；在字线和位线的交叉点提供的多个存储单元，每个存储单元包括一个MISFET，该MISFET包括连接到位线中的一个的漏极区，连接到源线中的一个的源极区，连接到字线中的一个的栅极，以及源极区和漏极区之间的一个浮体，该浮体处于电浮动状态，其中每个存储单元以阈值电压差的形式存储数据；沿第二方向提供多个参考位线；在字线和参考位线的交叉点提供多个参考单元，当从存储单元读出数据时，由与要从中读出数据的存储单元相同的字线激活2N个参考单元，以产生参考电流，其中N为自然数；以及根据参考电流和流过要从中读出数据的存储单元的单元电流从存储单元中读出数据的数据读出电路。