[发明专利]半导体存储器件以及半导体器件

摘要

一种半导体存储器件包括具有多个存储单元的存储单元阵列，以及每个存储单元包括第一MISFET和第二MISFET。第一MISFET包括第一源区、第一漏区和第一栅电极，以及在该第一源区和第一漏区之间的半导体层是处于浮动状态的一个浮动体。第二MISFET包括第二源区、第二漏区和第二栅电极，以及在该第二源区和第二漏区之间的半导体层是与该第一MISFET共用的浮动体。

主权项

1.一种半导体存储器件包括具有多个存储单元的存储单元阵列，以及每个存储单元包括：第一MISFET，其中包括形成在半导体层中的第一源区、形成在该半导体层中并且与该第一源区相分离的第一漏区、以及形成在该第一源区和第一漏区之间的半导体层上的第一栅电极，其中在该第一源区和第一漏区之间的半导体层是处于浮动状态的一个浮动体；以及第二MISFET，其中包括形成在该半导体层中的第二源区、形成在该半导体层中并且与该第二源区相分离的第二漏区、以及形成在该第二源区和第二漏区之间的半导体层上的第二栅电极，其中在该第二源区和第二漏区之间的半导体层是与该第一MISFET共用的浮动体。