[发明专利]具有差动偏磁型磁畴控制结构的记录重放分离型磁头无效

专利信息
申请号: 03149441.2 申请日: 2003-06-20
公开(公告)号: CN1482599A 公开(公告)日: 2004-03-17
发明(设计)人: 福井宏;大友茂一;小岛修一;片冈宏治 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: G11B5/39 分类号: G11B5/39
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 包于俊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在记录重放分离型磁头中,除了使磁阻效应元件的自由层的磁化方向一致沿规定方向的第一磁畴控制层,还具有产生其反方向磁场的第二磁畴控制层。利用该差动型偏磁结构,避免磁阻效应元件在道宽方向端部的固定磁场减少,同时减少因窄的道宽而过强的中心部分的纵向偏磁磁场。第一及第二磁畴控制层由硬磁性材料及软磁性材料的组合而构成。通过这样能够得到具有可实现窄道宽、高灵敏度及低噪声的磁阻传感器的记录重放分离型磁头。
搜索关键词: 具有 差动 偏磁型磁畴 控制 结构 记录 重放 分离 磁头
【主权项】:
1.一种记录重放分离型磁头,其特征在于,包括磁阻效应型重放头,以及与该磁阻效应型重放头相邻配置的感应型记录头,所述磁阻效应型重放头具有下部屏蔽、上部屏蔽、在该下部屏蔽与上部屏蔽之间隔着绝缘层配置的自由层及非磁性导电层及固定层及反铁磁性层层叠而成的磁阻效应元件、配置在该磁阻效应元件两端的将所述自由层的磁化方向沿规定方向控制的第一磁畴控制层、配置在所述磁阻效应元件两端的产生与所示第一磁畴控制层的磁化方向相反方向的磁场的第二磁畴控制层、以及配置在所述磁阻效应元件的两端的对该磁阻效应元件供给电流的电极层。
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