[发明专利]具有射频电源供应单元的双频式真空沉积设备有效
| 申请号： | 03149717.9 | 申请日： | 2003-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1480556A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 金东吉 | 申请（专利权）人： | 显像制造服务株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有一个射频电源供应单元的双频式真空沉积设备。为简化气密腔中的下电极结构，在该双频式真空沉积设备中，只安装一个射频电源供应单元。此外，通过使用一个开关，从射频电源供应单元所输出的射频电源，可交替地供应至上电极及下电极，因此可轻易执行清洁处理及薄膜沉积处理。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 射频 电源 供应 单元 双频 真空 沉积 设备 | ||
【主权项】：
1、一种具有一射频电源供应单元的双频式真空沉积设备，其特征在于，包括：一气密腔，用来在一半导体组件上成形一薄膜；一上电极，成形在该气密腔中；一下电极，成形在该气密腔中，其上安置将接受处理的该半导体组件；一射频电源供应单元，连接到该上电极和该下电极；以及一转换开关，安装在该上电极和该下电极以及该射频电源供应单元之间。
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