[发明专利]一种场发射针尖及其制备方法与应用无效
| 申请号： | 03149784.5 | 申请日： | 2003-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1581399A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 俞大鹏;张晔;贾宏博 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;H01J31/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场发射针尖及其制备方法与应用。本发明所提供的场发射针尖，是固定在硅衬底上的尖端为10－1－100nm量级的氧化铟或氧化铟锡纳米晶体。本发明还提供了该场发射针尖的制备方法。本发明的场发射针尖可用于制备平板显示器或Spindt型冷阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 针尖 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1、一种场发射针尖，是固定在硅衬底上的尖端为10-1-100nm的氧化铟或氧化铟锡纳米晶体。
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