[发明专利]在印刷与大特征相邻的紧密空间时采用第二曝光辅助PSM曝光

摘要

本发明的一个实施例提供一种系统，其采用通过第二掩模的曝光而在印刷与大特征相邻的紧密空间时帮助通过移相掩模的曝光。在操作期间，该系统通过移相掩模对半导体晶片表面上的光刻胶层进行曝光。该移相掩模包括限定第一特征和第二特征之间的空间的移相器，其中第一特征足够大，使得在限定该空间时移相的效率降低。而且，当曝光仅通过移相掩模时，移相的降低和空间的紧密性使该空间不能可靠地印刷。为解决该问题，该系统通过第二掩模对光刻胶层进行曝光，其中在曝光第一特征和第二特征之间的空间时，通过第二掩模的曝光起到辅助作用，因此可以可靠地印刷该空间。

主权项

1.一种在印刷与大特征相邻的紧密空间时采用通过第二掩模的曝光以帮助通过移相掩模的曝光的方法，包括：通过所述移相掩模对半导体晶片表面上的光刻胶层进行曝光，其中该移相掩模包括限定第一特征和第二特征之间的空间的移相器；其中所述第一特征足够大，使得在限定该空间时移相的效率降低；其中当曝光仅通过所述移相掩模时，所述移相的降低和所述空间的紧密性导致该空间不能可靠地印刷；和通过所述第二掩模对所述光刻胶层进行曝光，其中在曝光所述的第一特征和第二特征之间的空间时，通过所述第二掩模的曝光起到辅助作用，从而可靠地印刷该空间。