[发明专利]中央焊垫记忆体堆叠封装组件及其封装制程有效

专利信息
申请号: 03150008.0 申请日: 2003-07-29
公开(公告)号: CN1577779A 公开(公告)日: 2005-02-09
发明(设计)人: 顾沛川;鲁明联;林俊宏 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司;宏茂微电子(上海)有限公司
主分类号: H01L21/58 分类号: H01L21/58;H01L21/50;H01L27/108;H01L25/065
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 刘领弟
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种中央焊垫记忆体堆叠封装组件及其封装制程。为提供一种增强结构强度、防止焊线损伤造成短路、便于封胶体注胶填充的记忆体封装组件及其封装制程,提出本发明,封装制程包括提供连设数个引指的LOC引线框架、以主动面黏设于引指固定下记忆体晶片、形成数条下焊线、形成介电B阶胶材、以非主动面黏固于介电B阶胶材固定上记忆体晶片、形成数条上焊线及形成密封上、下记忆体晶片及上焊线封胶体。本发明封装组件包括连设数个引指LOC引线框架、以主动面黏设于引指下表面的下记忆体晶片、数条下焊线、密封下焊线的介电B阶胶材、以非主动面黏固于介电B阶胶材的上记忆体晶片、数条上焊线及密封上、下记忆体晶片及上焊线的封胶体。
搜索关键词: 中央 记忆体 堆叠 封装 组件 及其
【主权项】:
1、一种中央焊垫记忆体堆叠封装组件封装制程,它包括如下步骤:提供连设数个具有上、下表面的引指的LOC引线框架步骤;固定具有中央区域设有数个焊垫主动面及非主动面的下记忆体晶片步骤,下记忆体晶片以其主动面黏设于引指下表面;形成数条电性连接下记忆体晶片焊垫与引指上表面的下焊线步骤;固定具有中央区域设有数个焊垫主动面及非主动面的上记忆体晶片步骤,上记忆体晶片位于引指上表面;形成数条电性连接上记忆体晶片焊垫与引指上表面的上焊线步骤;形成封胶体步骤;其特征在于所述的形成下焊线步骤与固定上记忆体晶片步骤之间设有于下记忆体晶片中央区域形成密封下焊线的介电B阶胶材步骤;固定上记忆体晶片步骤中上记忆体晶片以其非主动面黏固于介电B阶胶材;形成封胶体步骤中的封胶体系密封上记忆体晶片、下记忆体晶片及上焊线。
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