[发明专利]闪存的制造方法

摘要

一种闪存的制造方法，此方法先于基底上形成图案化穿遂介电层、导体层与掩模层所构成的栅极结构并于基底中形成埋入式漏极。然后在栅极结构的周围形成一绝缘层，此绝缘层的表面高度低于栅极结构中的图案化导体层的顶表面。接着移除图案化掩模层，然后于栅极结构中的图案化导体层上形成另一图案化导体层，此图案化导体层延伸至栅极结构的周缘的绝缘层表面，并与栅极结构的图案化导体层构成浮栅极。接着移除材料层，再于浮栅极所裸露的表面上形成一栅间介电层，然后再于栅间介电层上形成控制栅极。

主权项

1.一种闪存的制造方法，包括下列步骤：于一基底上依序形成一穿隧介电层、一第一导体层与一掩模层；进行一第一图案化制造工艺，定义该穿遂介电层、该掩模层与该第一导体层，以于该基底上形成一条状物；于该条状物之间的该基底中形成一埋入式漏极区；进行一第二图案化制造工艺，定义该条状物，于该基底上形成一栅极结构，该栅极结构由一图案化穿遂介电层、一图案化掩模层与一图案化第一导体层所构成；于该栅极结构的周围的该基底上形成一绝缘层，该绝缘层的表面低于该图案化第一导体层的表面，暴露出该图案化第一导体层的部分侧壁表面；于该栅极结构的周围的该绝缘层上形成一材料层；移除该图案化掩模层；于该栅极结构的该图案化第一导体层的顶表面上形成一图案化第二导体层，该图案化第二导体层覆盖该图案化第一导体层的顶表面，并且延伸覆盖至该图案化第一导体层周缘的该材料层上，而与该图案化第一导体层构成一浮栅极；移除该材料层，以暴露出该图案化第一导体层的部分侧壁表面；于该浮栅极所裸露的表面上形成一栅间介电层；以及于该栅间介电层上形成一控制栅极。