[发明专利]光调制介质和光调制方法有效
| 申请号： | 03150385.3 | 申请日： | 2003-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1510492A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 原田阳雄;有沢宏 | 申请（专利权）人： | 富士施乐株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1347 | 分类号： | G02F1/1347;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种光调制介质，其包含光调制单元，光调制单元具有一对基板和位于基板之间形成多层结构的多个光调制层，光调制层由响应于所施加的预定电场而改变电－光特性的胆甾型液晶构成，其中，所述光调制单元的第一光调制层的液晶取向从平面状态转变为焦点圆锥曲线状态的阈值电场与第二光调制层的比值不小于0.3，第一光调制层的液晶取向处于平面状态时的介电常数与第二光调制层的比值不小于4。 | ||
| 搜索关键词： | 调制 介质 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光调制介质，其包含光调制单元，光调制单元具有一对基板和位于基板之间形成多层结构的多个光调制层，光调制层由响应于所施加的预定电场而改变电-光特性的胆甾型液晶构成，其中，所述光调制单元的第一光调制层的液晶取向从平面状态转变为焦点圆锥曲线状态的阈值电场与第二光调制层的比值不小于0.3，第一光调制层的液晶取向处于平面状态时的介电常数与第二光调制层的比值不小于4。
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