[发明专利]静电放电保护装置的晶体管制造方法无效
| 申请号： | 03150600.3 | 申请日： | 2003-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1591799A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 高荣正 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/76;H01L21/8234;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种静电放电保护装置的晶体管制造方法，其是在一半导体基底上形成基本元件；接着以一图案化光阻层为光刻对露出的漏极区域进行离子植入，以便将掺质植入至漏极下方的基底中而形成一延伸的漏极重掺质区域；然后去除图案化光阻层，并进行热回火制程；最后，在多晶硅栅极与重离子掺杂区表面形成一自行对准金属硅化物。本发明利用延伸的漏极重掺质区域作为漏极接触与多晶硅接面之间的电阻缓冲区，使静电放电产生的高电流能够有一较均匀的方式排解，以避免静电放电结构被破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护装置 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种静电放电保护装置的晶体管制造方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体基底，其上可形成有隔离结构、掺杂井区、多晶硅栅极结构、轻离子掺杂区及作为源/漏极的重离子掺杂区等基本元件；在该半导体基底上形成一图案化光阻层，以此图案化光阻层为光刻，在露出的该漏极区域进行离子植入，以将掺质植入至该半导体基底中而形成一延伸的漏极重掺质区域；移除该图案化光阻层，并继续进行热回火制程；以及在该半导体基底中和该多晶硅栅极、源/漏极区域表面形成一自行对准金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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