[发明专利]缺陷管理系统的方法无效
申请号: | 03150606.2 | 申请日: | 2003-08-27 |
公开(公告)号: | CN1591811A | 公开(公告)日: | 2005-03-09 |
发明(设计)人: | 林锦祥;江红;殷嘉杰 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/28;G06F11/22 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201203上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种缺陷管理系统的方法,包含进行机台匹配检验于一缺陷管理系统中,其至少包含扫描一生产晶片;检视一使用层级于缺陷管理系统中,缺陷管理系统根据使用层级,分配缺陷管理系统的资源;编辑一分析过程模板,缺陷管理系统根据该分析过程模板,执行一分析过程;预滤缺陷数据,其根据至少一基准,此基准选自以下所组成族群之一:未分类与分类、缺陷类别、缺陷尺寸、影像种类、缺陷图案、与CP数据结合;及输出一结果报告,结果报告结合分析过程模板与缺陷数据。 | ||
搜索关键词: | 缺陷 管理 系统 方法 | ||
【主权项】:
1、一种缺陷管理系统的方法,其特征在于,该方法包含:进行机台匹配检验于一缺陷管理系统中,该进行步骤至少包含扫描一生产晶片;检视一使用层级于该缺陷管理系统中,该缺陷管理系统根据该使用层级,分配该缺陷管理系统的资源;编辑一分析过程模板,该缺陷管理系统根据该分析过程模板,执行一分析过程;预滤复数个缺陷数据,该预滤步骤根据至少一基准,该基准选自以下所组成族群之一:未分类与分类、缺陷类别、缺陷尺寸、影像种类、缺陷图案、与CP数据结合;及输出一结果报告,该结果报告结合该分析过程模板与该复数个缺陷数据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造