[发明专利]一种电可擦除可编程只读存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 03150637.2 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1591879A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 詹奕鹏;许丹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杜娟;肖善强 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电可擦除可编程只读存储器，包括：硅衬底；形成在所述硅衬底上的第一氧化层和其厚度大于第一氧化层的第二氧化层；形成在所述第一氧化层上的多晶硅浮栅极；覆盖在所述多晶硅浮栅极上的氧化物/氮化物/氧化物介电层；形成在所述介电层上、完全覆盖所述浮栅极的多晶硅控制栅极；以及形成在所述第二氧化层上的多晶硅选择栅极。本发明还提供了一种制造电可擦除可编程只读存储器的方法。由于器件中不含隧道氧化物窗口，所以简化了制造工艺，而且可以在减小器件尺寸的情况下，保持高栅极耦合比率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 擦除 可编程 只读存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电可擦除可编程只读存储器，包括：硅衬底；形成在所述硅衬底上的第一氧化层和其厚度大于第一氧化层的第二氧化层；形成在所述第一氧化层上的多晶硅浮栅极；覆盖在所述多晶硅浮栅极上的氧化物/氮化物/氧化物介电层；形成在所述介电层上、完全覆盖所述浮栅极的多晶硅控制栅极；以及形成在所述第二氧化层上的多晶硅选择栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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