[发明专利]一种电可擦除可编程只读存储器单元的制造方法无效
| 申请号： | 03150638.0 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1591835A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 詹奕鹏;吴佳特 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杜娟;肖善强 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元的制造方法，包括：提供硅衬底；在所述硅衬底上形成栅极氧化物层；在所述栅极氧化物层上涂覆光刻胶并对其进行图案化，以在光刻胶中形成一开口，暴露出下面的栅极氧化物；以该图案化的光刻胶作为掩模，通过所述开口进行离子注入；进行湿法腐蚀，腐蚀掉所述开口下方的栅极氧化物，从而形成隧道氧化物窗口；去除光刻胶；以及在所述窗口位置处形成隧道氧化物薄层。利用本发明所公开的技术方案，可以在EEPROM的制造过程中更精确地限定隧道氧化物窗口的边界轮廓、控制它的形状和尺寸，可以更容易地减小器件的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 擦除 可编程 只读存储器 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电可擦除可编程只读存储器单元的制造方法，包括：提供硅衬底；在所述硅衬底上形成栅极氧化物层；在所述栅极氧化物层上涂覆光刻胶并对其进行图案化，以在光刻胶中形成一开口，暴露出下面的栅极氧化物；以所述图案化的光刻胶作为掩模，通过所述开口进行离子注入；进行湿法腐蚀，腐蚀掉所述开口下方的栅极氧化物，从而形成隧道氧化物窗口；去除光刻胶；以及在所述窗口位置处形成隧道氧化物薄层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03150638.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
