[发明专利]一种掩膜制造方法有效
| 申请号： | 03150650.X | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1591180A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李正强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/08;G03F9/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杜娟;董方源 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用电子束曝光的掩膜版制造方法，用来减小传统的用电子束曝光的掩膜版制造方法过程中的充电效应给掩膜版套准标记带来的误差。该方法包括如下步骤：提供一个接地的掩膜版基底；在所述基底上涂覆抗蚀剂；用电子束曝光所述基底上的多个套准标记图案和电路管芯图案；用电子束曝光所述基底上除上述图案之外的其他图案；去除被电子束曝光的抗蚀剂；腐蚀未被抗蚀剂覆盖的基底部分，在基底上形成掩膜图案；去除基底上剩余的抗蚀剂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用电子束曝光的掩膜版制造方法，包括步骤：提供一个接地的掩膜版基底；在所述基底上涂覆抗蚀剂；用电子束曝光所述基底上的多个套准标记图案和电路管芯图案；用电子束曝光所述基底上除上述图案之外的其他图案；对抗蚀剂进行显影；腐蚀未被抗蚀剂覆盖的基底部分，在基底上形成掩膜图案；去除基底上剩余的抗蚀剂。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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