[发明专利]一种用于半导体器件的铟锡氧化物pn结无效
| 申请号： | 03150667.4 | 申请日： | 2003-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1494161A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 季振国;何振杰 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/86;H01L21/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的用于半导体器件的铟锡氧化物pn结，其p型铟锡氧化物中的铟/锡原子比为0.01－0.3，n型铟锡氧化物中锡/铟原子比为0.01－0.3。由于铟锡氧化物是宽禁带半导体材料，且对可见光透明，因此本发明的铟锡氧化物pn结在光电子领域有重要的应用前景，如用于透明的电子器件，高温电子器件等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体器件 氧化物 pn | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件的铟锡氧化物pn结，其特征是该pn结p型铟锡氧化物中的铟/锡原子比为0.01-0.3，n型铟锡氧化物中锡/铟原子比为0.01-0.3。
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