[发明专利]多波长可擦重写光存储材料及其制备方法无效
| 申请号： | 03150829.4 | 申请日： | 2003-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN1523592A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 黄伍桥;吴宜群;顾冬红;干福熹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24;G11B7/16;C09K9/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多波长可擦重写光存储材料及其制备方法，该材料为铜－四氰基对苯醌二甲烷脂类衍生物；本发明的高溶解性能的铜－四氰基对苯醌二甲烷脂类衍生物是将CuI加入到含四氰基对苯醌二甲烷脂类衍生物和金属碘化物(MI)的乙腈溶液中，在常温至85℃温度范围内，搅拌反应1～4小时即可得铜－四氰基对苯醌二甲烷脂类衍生物；把铜－四氰基对苯醌二甲烷脂类衍生物溶于二甲氨基乙醇或乙腈中，用超声波振荡后，过滤，把过滤后的均匀溶液旋涂到所用的基片上，即得到适合于514.5nm、650nm、或780nm可擦重写光信息存储薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 重写 存储 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多波长可擦重写光存储材料，其特征在于该材料为铜-四氰基对苯醌二甲烷脂类衍生物，其分子式为Cu(TCNQ(CH2CH2COOR)2)。
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