[发明专利]导电尖晶石型结构MgIn2O4/MgO复合衬底材料及其制备方法无效
| 申请号： | 03151081.7 | 申请日： | 2003-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1527412A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 徐军;彭观良;周圣明;周国清;杭寅;李抒智;杨卫桥;赵广军;王海丽;刘军芳;李红军;吴锋;王静雅;司继良;庄漪;邹军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/84;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种导电尖晶石型结构MgIn2O4/MgO复合衬底材料及其制备方法，该复合衬底材料是在MgO单晶上设有一层MgIn2O4覆盖层构成。该复合衬底材料的制备方法是：先利用射频磁控溅射技术在MgO单晶衬底上制备In2O3薄膜，然后在高温下，通过In2O3与MgO的固相反应，在MgO单晶衬底上形成MgIn2O4覆盖层。本发明的复合衬底材料的制备工艺简单、易操作，MgIn2O4与GaN(111)的晶格失配度较小(为1.1％)，且该MgIn2O4为透明导电氧化物(TCO)材料。此种结构的复合衬底(MgIn2O4/MgO)适合于高质量GaN的外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 尖晶石 结构 mgin sub mgo 复合 衬底 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种导电尖晶石型结构MgIn2O4/MgO复合衬底材料，其特征是在MgO单晶上设有一层MgIn2O4，构成MgIn2O4/MgO复合衬底。
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