[发明专利]掺三价铈离子的铝酸盐闪烁晶体的制备方法无效

专利信息
申请号: 03151082.5 申请日: 2003-09-19
公开(公告)号: CN1526858A 公开(公告)日: 2004-09-08
发明(设计)人: 徐军;曾雄辉;赵广军;何晓明;李红军;庞辉勇;介明印;李抒智;张连翰 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: C30B29/24 分类号: C30B29/24;C30B15/00
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 张泽纯
地址: 201800上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种掺三价铈离子的铝酸盐闪烁晶体的制备方法,其特点是:在铝酸盐晶体生长的原料配方中掺入三价铈的化合物;在中性气氛下烧结原料;中性气氛下,在中频感应加热单晶炉内用提拉法生长晶体。本发明在很大程度上减少了Ce4+的引入,降低对Ce3+发光的猝灭作用,可提高铝酸盐晶体的闪烁性能5-15%。
搜索关键词: 掺三价铈 离子 铝酸盐 闪烁 晶体 制备 方法
【主权项】:
1、一种掺三价铈离子的铝酸盐闪烁晶体的制备方法,其特征在于:①在铝酸盐晶体生长的原料配方中掺入三价铈的化合物;②在中性气氛下烧结原料;③中性气氛下,在中频感应加热单晶炉用提拉法生长晶体。
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